Tea Time学术活动系列邀请报告（277）

　　报告题目：感存算一体化光电忆阻器研究进展

　　报告人：刘悦（西交利物浦大学）

　　时间：2026年4月28日（星期二）15:00-16:00

　　地点：理学院1-401

　　报告内容：传统冯·诺依曼计算架构中感知、存储与计算的物理分离，导致数据传输瓶颈与能耗问题日益突出，难以满足智能视觉等数据密集型任务的需求。光电忆阻器可在单一器件中融合光感知、存储与逻辑计算功能，是实现感存算一体化神经形态视觉系统的理想硬件基础。本报告系统综述感存算一体化光电忆阻器的研究进展，涵盖材料体系、工作机理、器件结构与系统集成等层面。当前面临的主要挑战包括器件均一性不足、多态稳定性欠佳、阵列规模受限及CMOS兼容性问题。特别值得关注的是，铌酸锂薄膜因其优异电光、声光及宽光谱透明特性，在光电忆阻器领域展现出独特优势：基于铁掺杂铌酸锂波导的全光子忆阻器实现了高稳定多态存储；Al/LiNbO?结构忆阻突触成功模拟多种突触可塑性，图像识别精度达95.2%；绝缘体上铌酸锂嵌入非晶碳层的光电突触模拟了巴甫洛夫条件反射学习；Z切薄膜铌酸锂微谐振器实现了超长寿命（＞10小时）的光子记忆。上述进展表明，铌酸锂基光电忆阻器在神经形态计算与感存算一体化系统中前景广阔。本报告最后将讨论高性能材料开发、鲁棒性电路设计及硬件-算法协同创新等未来方向。

　　报告人简介：

　　刘悦博士，现任西安利物浦大学副教授（2025年4月起），同时担任Topo-Meta Electronics Technology Company技术总监。2015年毕业于南开大学材料科学与工程学院，获博士学位，期间于新泽西州立大学联合培养。此后曾任辽宁工程技术大学讲师、副教授（2015-2024年），并在意大利帕多瓦大学从事博士后研究。刘悦博士长期致力于铁电材料、铌酸锂薄膜、光电忆阻器及第一性原理计算等领域的研究。主持辽宁省教育厅项目、辽宁省自然科学基金、等多项科研课题。在铌酸锂表面金属原子沉积动力学、铁电薄膜生长机理、光电突触器件等方面取得了系列创新成果。近年来，刘悦博士在光电忆阻器与神经形态计算方向开展深入探索，相关成果发表于Advanced Materials、Nano Letters，Frontiers in Physics、Ferroelectrics等期刊，共计发表SCI/EI论文20余篇，其中多篇为第一作者或通讯作者。作为主要发明人获得多项授权发明专利，内容涵盖铁电材料催化性能模拟、生物质润滑剂制备、氮掺杂TiO?粉体等。刘悦博士曾入选辽宁省“百千万人才工程”万人层次，荣获大连市创新创业项目奖、苏州市吴江区创新创业领军人才、吴江经济技术开发区“崇本人才”、吴江区青年科技创业竞赛三等奖、中国商业联合会科技进步二等奖、辽宁省林业科技一等奖（两项）及二等奖等多项荣誉。现担任JCR二区期刊Frontiers in Chemistry副主编，并受邀担任澳门科学协会展览评审委员会委员。